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N MOSFET（N 型金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管）是一种以电子为主要载流子的电压驱动型半导体器件，核心由栅极（G）、源极（S）、漏极（D）及栅极与沟道间的绝缘氧化层构成，通过栅极施加正向电压并超过阈值电压时形成 N 型导电沟道，实现源漏极间电流的精准调控，它具备输入阻抗极高、开关速度快、导通电阻低、功耗小、集成度高的优势，广泛应用于开关电源、数字芯片（如 CPU、MCU）、电机驱动、逆变器、射频放大器等电子电路中，是现代电子设备中核心的开关与放大元件。

Product Name	Package	VDS(max)(V)	ID(max)(A)	PD(max)(W)	VGS(max)(V)	RDS(on)(typ)(@10V) (mΩ)，RDS(on)(typ)(@4.5V)(mΩ)
	TO-220FP-3L PDFN5X6 TO-252-4L SOP8 PDFN33-8L TO-247-3L TO-252-2L TO-252 -2L PDFN56-8L SOT23L TO-252-3L SOT-23 SOT-23-3L SOT363 TO-263-3L TO-220-3L TO-220F-3L TO-220F TO-252 TO-252-3 SOP-8 DFN3*3-8L TO-247-3 SOT23	650 60 65 30/-30 40/-40 60/-60 60 /-60 60 V 30 V 200 V -60V -60 -30 V -40 V -60 V -12 -40V 60V -30V 650 V 30V 200V 100V	4 35 30 25/-24 8.9/-8.0 55 /-45 3/-3 5.8 /-6 23 A 70 A 50 A -50A -12 -60 A -40 A -30 A -4.8 A -10 A 50A -4.2 A -4.2A 0.3A 21 A 20 A -12 A -50 A -18.8 A -8.0 A 10 A 70A 28A 10A 14.6A 45A 23.2 A 0.3 A	27 29 34 18 2 25 2.1 2.1 W 59 W 104 W 60 W 60 38 W 3.5 W 3.1 W 52.1 W 90 W 1 W 25 W 3.6 W 1.32 W 1.5 W 0.3 W 151 W 36 W 60 W 34.7 W 26 W 367W 31.3W 25W 41.7W 72W 0.3 W	±30 ±20 ±20 V ±12 V ±30 V ±30V ±20V ±10 V	2.22 8.5 13.5 15/25 21 45 25 85 68 mΩ 3.5 mΩ 50 mΩ 22 mΩ 84 mΩ 6.8 mΩ 6.4 mΩ 11 mΩ 10.5 mΩ 37 mΩ 26 mΩ 60 mΩ 50 mΩ 40 mΩ 1.9 Ω 150 mΩ 150 mΩ 22 mΩ 53 mΩ 55 mΩ 12mΩ 9 mΩ 30mΩ 36mΩ 6.5mΩ 65mΩ 14 mΩ 20 mΩ 2.2 Ω

HNS60D12K	TO-252 -2L	-60	-12	60	±20 V	84 mΩ
HN60P03DF	PDFN3*3-8L	-30 V	-60 A	38 W	±20 V	6.8 mΩ
HN60P03D	TO-252-2L	-30 V	-60 A	3.5 W	±20 V	6.4 mΩ
HN40P03DF	PDFN3*3-8L	-30 V	-40 A	3.1 W	±20 V	11 mΩ
HN30P04NF	PDFN5*6-8L	-40 V	-30 A	52.1 W	±20 V	10.5 mΩ
HN30P06D	TO-252-2L	-60 V	-30 A	90 W	±20 V	37 mΩ
HN2311BI	SOT23L	-12	-4.8 A	1 W	±12 V	26 mΩ
HN10P04D	TO-252-3L	-40V	-10 A	25 W	±20 V	60 mΩ
HN50H06NF	PDFN5*6-8L	60V	50A	3.6 W	±20 V	11 mΩ
HN3407AI	SOT-23	-30 V	-4.2 A	1.32 W	±20 V	50 mΩ
HN3407MI	SOT-23-3L	-30V	-4.2A	1.5 W	±20 V	40 mΩ
HNS03N60	SOT363	60V	0.3A	0.3 W	±12 V	1.9 Ω

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