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N-Channel MOSFET
N-Channel MOSFET
N MOSFET(N 型金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管)是一种以电子为主要载流子的电压驱动型半导体器件,核心由栅极(G)、源极(S)、漏极(D)及栅极与沟道间的绝缘氧化层构成,通过栅极施加正向电压并超过阈值电压时形成 N 型导电沟道,实现源漏极间电流的精准调控,它具备输入阻抗极高、开关速度快、导通电阻低、功耗小、集成度高的优势,广泛应用于开关电源、数字芯片(如 CPU、MCU)、电机驱动、逆变器、射频放大器等电子电路中,是现代电子设备中核心的开关与放大元件。
Product Name Package VDS(max)(V) ID(max)(A) PD(max)(W) VGS(max)(V) RDS(on)(typ)(@10V) (mΩ),RDS(on)(typ)(@4.5V)(mΩ)
HNS60D12K TO-252 -2L -60 -12 60 ±20 V ,
HN60P03DF PDFN3*3-8L -30 V -60 A 38 W ±20 V ,
HN60P03D TO-252-2L -30 V -60 A 3.5 W ±20 V ,
HN40P03DF PDFN3*3-8L -30 V -40 A 3.1 W ±20 V ,
HN30P04NF PDFN5*6-8L -40 V -30 A 52.1 W ±20 V ,
HN30P06D TO-252-2L -60 V -30 A 90 W ±20 V ,
HN2311BI SOT23L -12 -4.8 A 1 W ±12 V ,
HN10P04D TO-252-3L -40V -10 A 25 W ±20 V ,
HN50H06NF PDFN5*6-8L 60V 50A 3.6 W ±20 V ,
HN3407AI SOT-23 -30 V -4.2 A 1.32 W ±20 V ,
HN3407MI SOT-23-3L -30V -4.2A 1.5 W ±20 V ,
HNS03N60 SOT363 60V 0.3A 0.3 W ±12 V ,

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