岗位职责:
- 根据公司的新品开发计划,参与IGBT、超结MOSFET、低压沟槽MOSFET和SGT MOSFET器件的设计;
- 与研发部产品经理进行沟通和协调,对反馈信息进行技术论证,提出改进方案确保及时解决问题;
- 负责相关产品的电学特性的测试;
- 协助完成专利的撰写。
任职要求
- 了解 SGT MOS、超结 MOS、Trench MOS 件原理和设计方法;
- 了解半导体器件的制造过程和方法;
- 掌握主流 TCAD 仿真软件的使用;
- 掌握功率 MOSFET 电气参数的测试方法;
- 微电子及相关专业本科或硕士以上学历;
- 学习不会的以上的相关技能。