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MOSFET
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N MOSFET(N 型金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管)是一种以电子为主要载流子的电压驱动型半导体器件,核心由栅极(G)、源极(S)、漏极(D)及栅极与沟道间的绝缘氧化层构成,通过栅极施加正向电压并超过阈值电压时形成 N 型导电沟道,实现源漏极间电流的精准调控,它具备输入阻抗极高、开关速度快、导通电阻低、功耗小、集成度高的优势,广泛应用于开关电源、数字芯片(如 CPU、MCU)、电机驱动、逆变器、射频放大器等电子电路中,是现代电子设备中核心的开关与放大元件。
Product Name Package VDS(max)(V) ID(max)(A) PD(max)(W) VGS(max)(V) RDS(on)(typ)(@10V) (mΩ),RDS(on)(typ)(@4.5V)(mΩ)
HNS30N10 TO-252 30V 10A 25W ±20V 6.5mΩ
HNS15N10B TO-252 100V 14.6A 41.7W ±20V 65mΩ
HNS45G10HA TO-252 100V 45A 72W ±20 V 14 mΩ
HNS3400 SOT23 30V 23.2 A 1.5 W ±20 V 20 mΩ
2N7002K SOT23 60 V 0.3 A 0.3 W ±10 V 2.2 Ω

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