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EAS测试管控关键参数Ias,Rate BV
2021-09-14
峰值击穿电压Rate BVDSS,峰值冲击电流IAS 通过设定的Vgs,Ias,L,Vdd等参数,监控在通过设定的雪崩能量下,实际至少能吸收的峰值电压,以保证在抗雪崩状态下电路能继续安全工作。
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抗雪崩能力测试电路
2021-09-14
器件承受的雪崩能量收到结温影响,负载电感越大,瞬间要释放的能量就越大,释放过程中结温上升也就越快,从而就越容易击穿。也就是说负载电感越大,IAS越小,允许的正常工作电流也就越小。
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雪崩能力EAS
2021-09-14
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导通电阻RDS(on): On Resistance
2021-09-14
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阈值电压的负温度特性
2021-09-14
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开启电压Vth: Thread Voltage
2021-09-14
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漏电流:IDSS源漏漏电流、IGSS栅源漏电流
2021-09-14
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漏源导通额定电流ID
2021-09-14
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BVDSS Breakdown Voltage 漏源耐压
2021-09-14
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RDS(on) test method for NMOS
2020-05-22
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